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美国海军研究实验室制备出氮化铌薄膜
文章来源:未知     点击数: 次     更新时间:2017-07-13 14:23

据报道, 日前,美国海军研究实验室(NRL)已经证明能够生长过渡金属氮化物Nb2N(氮化铌)薄膜。该薄晶体材料具有与氮化镓(GaN)相似的结构,但其电学和物理性质却显着不同。例如,Nb2N是金属而不是半导体,并且在低温下可以变成超导材料。

电子科技部门宽带隙材料和器件部门主管David Meyer博士说:“我们已经确定,Nb2N具有几个独特的性能,可以带来新的微电子器件和电路。”

新材料的一个特性是如何将其溶解在反应气体中,同时使附近的GaN电子器件不受影响。Meyer和他的团队可以执行正在申请专利的剥离技术,通过在GaN晶体管、LED或电路与材料生长的衬底之间插入一层薄的Nb2N膜,预计可将其转移到几乎任何东西上。

“我们有这种方法,而且它真的很灵活。我们预计有几个与器件级或电路级的GaN技术集成有关的应用将从中受益。”Meyer补充说。

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