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南工大制备超薄半导体材料
文章来源:未知     点击数: 次     更新时间:2019-04-10 15:03

据悉, 近日,南京工业大学王琳教授课题组采用简单快速高效的合成方法,成功制备出超薄的高质量二维碘化铅(PbI2)晶体,并且通过它实现了对二维过渡金属硫化物材料光学性质的调控。相关成果发表在国际权威期刊《先进材料》上。

  “我们制备的这一超薄PbI2纳米片,专业术语称为‘原子级厚度的宽禁带二维PbI2晶体’,是一种超薄的半导体材料,厚度只有几个纳米。我们采用溶液法合成工艺,这种方法对设备要求很低,具有简单、快速、高效的优点,能够满足大面积和高产量的材料制备需求。”论文第一作者、南工大博士生孙研说,“之后,我们把这一超薄的PbI2纳米片与二维过渡金属硫化物(TMDs)结合,进行人工设计,把它们堆叠到一起,制备出不同类型的PbI2/TMDs异质结。因为能级排列方式不一样,因此PbI2对不同TMDs材料的光学表现有不同影响。”

  这一工作成果实现了超薄PbI2对二维过渡金属硫化物材料光学性质的调控,充分展现了其在二维材料能带工程中的灵活性和多样性。与传统以硅基材料为主体的光电子器件相比,这一新方法由于所采用的材料具有柔性、微纳尺寸特点,因此可以应用在制备柔性化、可集成的光电子器件方面,也为制造太阳能电池、光电探测器等提供了新思路。

 
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