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联发科、联电支持,台交大清大团队发表半导体研发新成果,突破高端芯片封装瓶颈
文章来源:未知     更新时间:2019-07-04 10:31:04

 芯科技消息(文/方中同)通过产学研发联盟合作计划(Academia-Industry Research Alliance Project,简称REAL计划),3日台湾交大与清大分别发表研发成果,其中,交大研究团队以纳米双晶铜导线技术,突破高端芯片封装瓶颈;清大研究团队则发表微型无线生医诊疗单芯片。

 

根据交大介绍,其团队开发的纳米双晶铜导线及电镀制程技术,已成功电镀出线宽2微米(μm)以下的纳米双晶铜线,此研究成果可望解决用于晶圆级封装技术(Wafer Level Packaging)中小于2微米之铜导线因热应力断裂的问题,改善细线宽封装铜导线加热后韧性降低以致断裂的关键缺失。

 

交大教授陈智表示,与添鸿科技合作开发的纳米双晶铜电镀添加剂已成功控制电镀铜膜与线之微结构,在晶圆制造高端应用上极具潜力,产品于2018年国际半导体展亮相,显示凭借纳米双晶铜添加剂的开发,已成功协助半导体厂商优先建立次世代封装技术优势。

 

据透露,这项技术研发包括IC设计大厂联发科也加入合作,目标即是突破高效能芯片封装瓶颈。

 

而清大电子工程研究所团队则是成功将多通道的神经活动纪录、神经刺激及无线资料与电力传输等功能整合成领先全球的单一微型化芯片系统。通过植入式神经界面芯片系统和体外无线诊疗控制器,能有效降低电极植入脑深层之手术困难度和风险,体外控制器可自动学习判读脑部异常的神经活动,以达到个人化、精准的脑神经调控。

 

清大教授陈新指出,该研发团队与生奕科技合作开发的生讯仪(NeuLive)智能无线神经调控器,亦解决过去仪器庞大、线路复杂与人员操作干扰等问题,获2019年台北国际计算机展创新设计奖(COMPUTEX d&i awards)特别奖肯定,未来将应用在帕金森氏症、阿兹海默症等医学研究。

 

据了解,此计划获得联电先进制程技术支持,希望能进一步模块化至量产,为单芯片技术发展方向指引未来。

 

产学研发联盟合作计划(REAL计划)为两年前开始启动,主要为串联半导体产业界及学术界顶尖能量。目前该计划累计补助IC设计、制造、封测领域前瞻技术研究计划共56件,补助经费超过1.16亿元新台币(单位下同),支持台8所大学与联发科、台积电、联电、钰创等大厂,生奕科技等新创公司共超过30家企业,业界投入经费也已达到1.6亿元,另业界衍生投入产品评估、原型试制等项目合计约7312万元,产业累计投入超过2.3亿元。

 

此外,该计划累计培育博士生124人次,前瞻技术研发衍生技术移转与产学合作案超过4508万元,未来可带动产值超过30亿元。

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