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一种新开发的材料可以冷却高功率设备
文章来源:贤集网     点击数: 次     更新时间:2021-09-27 13:17

 热管理已迅速成为电气工程师面临的最重要问题之一。随着电子设备功率的增加,它们产生的热能也随之增加。高性能要求材料能够吸收和散发热量,防止损坏敏感电子元件,并确保它们有效运行。



通常,具有高功率密度的电子产品制造商使用金刚石或碳化硅等基板来管理晶体管等半导体产生的热量。现在,研究人员发现了一种新材料,可以更有效地从热点吸收热量。在实践中,这种材料可以帮助电子制造商确保设备性能和能源效率的显著改进。它可以确保更快、更便宜的电子设备的持续发展。


更好的热管理对电力电子行业意味着什么


通过将晶体管几何尺寸缩小到纳米级,制造商可以提供具有高晶体管密度的芯片,以提高性能但也会产生大量热量。如果没有某种热管理系统,这些计算机芯片就会过热、变慢并且变得不可靠。随着时间的推移,热应力也会损坏它们,导致过早失效。


性能远优于尖端材料的热基板可以确保电子行业与理论摩尔定律的增长保持同步,继续我们在过去几十年中所期望的处理能力的增长。


砷化硼成为半导体的潜在热基板


2018 年,加州大学洛杉矶分校(UCLA)和欧文材料研究所的研究人员在胡永杰副教授的带领下,在他们的实验室中开发了无缺陷的砷化硼(BA)。他们的研究结果表明,它在吸热和散热方面比传统半导体材料更有效。


现在,研究团队通过将BA直接集成到尖端的高功率氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMT)中,首次展示了BA的实际有效性。该团队的研究结果于2021年6月发表在Nature Electronics上,展示了这些基板如何在高功率密度应用中比最先进的热管理材料更有效。



为了评估具有BA的GaN HEMT的热管理性能,研究团队将这些结构与具有两种传统热衬底、金刚石和碳化硅(SiC)的GaN HEMT进行了比较。


在15瓦/毫米的功率密度下,带有砷化硼衬底的GaN HEMT的热量从室温最高增加到188F。带有金刚石锯的GaN HEMT升高到278F,而带有碳化硅的HEMT基板都看到增长到332F左右。


据该团队称,结果表明,使用BAs衬底的设备比使用传统衬底的设备能够承受更高的工作功率。研究人员将BAs基板的性能改进归因于该材料的高导热性和低热边界电阻。材料的电阻越低,它就越容易吸收和散发热量,有助于提高热管理能力。


BA的热导率可高达每米开尔文1300瓦(W/(m·K)),而金刚石的导热系数约为2300 W/(m·K)。导热率越高越好,但极低的热边界电阻意味着该材料可以在冷却半导体方面提供更好的性能。


根据吕冰博士的说法,尽管BA含有砷,但当砷与砷化硼等化合物结合时,它会变得稳定且无毒。Lv是德克萨斯大学达拉斯分校的物理学教授和研究员,他还探索了砷化硼在热管理方面的潜力,并领导了首批合成纯度足以用作基材的砷化硼的研究小组之一。


因此,在高性能电子产品中,BA被认为与碳化硅或金刚石一样安全。此外,BAs的合成和加工成本也相对较低,因此制造成本不应成为采用该材料的障碍。


即便如此,还需要更多的研究。在工程师致力于开发BA这样的新型材料之前,他们必须充分了解材料的电子特性并确保它们的性能符合规范。尽管如此,如果研究继续证明这种材料的有效性,砷化硼可能会在不久的将来对电子产品产生重大影响。

原文链接:https://www.xianjichina.com/special/detail_497497.html
来源:贤集网
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