反式钙钛矿光伏电池因简单的器件结构、显著的成本下降潜力和关键材料的选择多样性广受关注。然而，由于晶格杂质离子容忍度低，目前针对钙钛矿导电类型的可控掺杂仍是关键难题；此外，作为非发光性深能级缺陷，钙钛矿体相晶界缺陷也是阻碍器件性能进一步提升的主要原因。因此，开发一种能同时实现钙钛矿可控掺杂与晶界钝化的工艺，是当前高效钙钛矿光伏技术产业化面临的重要挑战。

对此，何祝兵团队基于化学配位思想提出了一种全新的“分子挤出”工艺策略。带有磷酸锚定基团的p型吖啶小分子在钙钛矿成膜过程中被完美地挤出至晶界和底部，从而对钙钛矿晶界和表面实现全面的覆盖钝化，深能级缺陷态密度降低至1013量级。同时，钙钛矿晶粒表面与吖啶分子之间存在基于“电荷转移复合体”机制的明显电子转移，从而实现了钙钛矿的强p型掺杂，构筑了能级失配仅为0.21eV的肖特基结，显著提高了界面空穴传输效率。

在无预置空穴传输层的钙钛矿电池领域，器件效率从22.20%提升至25.86%，第三方认证效率达到25.39%，创下反式钙钛矿电池的世界纪录。经过1000小时标准太阳光暴晒，器件效率仍保持初始效率的96.6%，而无晶界钝化的参考电池暴晒500小时后，器件效率衰减超过20%。

该研究采用红外原子力显微镜辅以二次离子质谱技术，直接呈现了吖啶分子在钙钛矿薄膜晶界和表面的分布，澄清了前人关于无空穴传输层电池中功能分子的分布猜测，指出连续的“分子挤出”薄层是实现高性能器件的关键因素。