该产品对标国际头部企业主流KrF光刻胶系列。相较于国外同系列产品UV1610，该产品在光刻工艺中表现出的极限分辨率达到120纳米，且工艺宽容度更大、稳定性更高，坚膜后烘留膜率优秀。其对后道刻蚀工艺表现更为友好，通过验证发现该产品中密集图形经过刻蚀，下层介质的侧壁垂直度表现优异。

　　据悉，该公司成立于2024年5月，由华中科技大学武汉光电国家研究中心团队创立。团队立足于关键光刻胶底层技术研发，致力于半导体专用高端电子化学品材料的开发，并以新技术路线为半导体制造开辟新型先进光刻制造技术，同时为材料的分析与验证提供最全面的手段。